الفهرس 
Review of surface problem
Effect of measurement time on interface charge densityOnly 14 pages are availabe for public view
 |  | from | 194 |  |  |
| | | from | 194 | | |
Abstract
يشرح هذا البحث باستفاضه طرق حساب متغيرات السطح في مجموعات السيلكون- كسيد السيلكون وذلك بغرض تحديد العلاقه بين كثافة شحنه السطح الفاصل وجهد الانحياز الخارجي نظرا لان هذه العلاقه هامه في تحديد الخصائص الكهربيه للسطح.ولتحديد دقة النموذج المقترح للحساب طبقت هذه الدراسه علي ترانزسستورات (معدن-اكسيد السيلكون-سيلكون)حيث تم حساب الخصائص الاستاتيكيه ومتغيرات الاشاره الصغيره لهذه الترانزسستورات ومقارنتها بالنتائج المعمليه للبحوث المنشوره.يشتمل الباب الاول علي استعلااض لماسبق نشره عن خصائص السطح في النبيطات الفعاله من اشباه الموصلات مع بيان اهمية هذه الخصائص كعوامل رئيسيه في الاداء الناجح لهذه النبيطات الحديثه. ولقد افرد الباب الثاني لتقديم النظريه الفيزيائيه لترانزسستور (معدن-اكسيدالسيلكون-السيلكون)والمبنيه علي التغيريب التدريجي للقسناه.خصص الباب الثالث لحساب كثافة شحنة السطح الفاصل بين السيلكون واكسيدالسيليكون.خصص الباب الرابع من هذا البحث للحصول علي صيغه شامله لكثافة شحنة السطح الفاصل كداله لتوزيع عام لمراكز التصيد.ويتناول الباب الخامس دراسة سلوك الترانزسستور في الحاله العامه التي يستخدم فيها انحياز بين خارجيين احداهما للبوابه الحاكمه والاخر للقاعده في اتجاه معاكس.وفي الباب السادس استكمل نموذج الاشاره الصغيره للترانزسستور باضافة المكثفات التزايديه المختلفه التي تؤثر بين مكونات الترانزسستور.